[发明专利]用于提高0.18μ m 工艺MIM电容性能的方法有效
| 申请号： | 201110363887.7 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN103094076A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 金宏峰;张磊;王德进 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;高为 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在0.18μm工艺MIM电容中形成氮化硅薄膜的方法，其特征在于，分别通过第一管路和第二管路向等离子化学气相沉积PECVD反应腔中通入SiH4气体和NH3气体，所述SiH4和NH3在所述反应腔中发生化学反应所生成的氮化硅沉积在所述MIM电容的下电极金属层上形成氮化硅薄膜，其中：向所述第一管路和所述第二管路之一另外通入N2气体；并且通过调节SiH4气体、NH3气体以及N2气体的流速、PECVD反应腔的压力和温度使得氮化硅沉积的速度降低。本发明还提供了一种MIM电容的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 0.18 工艺 mim 电容 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在0.18μm工艺MIM电容中形成氮化硅薄膜的方法，其特征在于，分别通过第一管路和第二管路向等离子化学气相沉积PECVD反应腔中通入SiH4气体和NH3气体，所述SiH4和NH3在所述反应腔中发生化学反应所生成的氮化硅沉积在所述MIM电容的下电极金属层上形成氮化硅薄膜，其中：向所述第一管路和所述第二管路之一另外通入N2气体；并且通过调节SiH4气体、NH3气体以及N2气体的流速、PECVD反应腔的压力和温度以及预热时间使得氮化硅沉积的速度降低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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