[发明专利]磁存储元件的场辅助切换有效
| 申请号： | 201110364445.4 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102456393A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | X·曹;习海文;朱文忠;R·兰伯顿;高凯中 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C7/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于将数据写入诸如自旋转移矩随机存取存储器(STRAM)存储单元之类的磁存储元件的方法和装置。根据各种实施例，施加通过磁存储元件的写入电流以发起该元件至期望磁状态的磁旋进。随后，在写入电流的继续施加期间毗邻该磁存储元件发起场辅助电流的流动以在该元件上感生磁场。该场辅助电流在写入电流被终止之后仍持续以提供至该期望的磁状态的场辅助旋进。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 辅助 切换 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：施加通过磁存储元件的写入电流以发起所述元件至期望磁状态的磁旋进；以及随后在所述写入电流的继续施加期间毗邻所述磁存储元件发起场辅助电流的流动以在所述元件上感生磁场，所述场辅助电流在所述写入电流被终止之后仍持续以提供至所述期望磁状态的场辅助旋进。
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