[发明专利]具有多畴存储层的磁存储元件有效
| 申请号： | 201110364460.9 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102456407A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 习海文;Y·郑;王小斌;D·V·季米特洛夫;P·J·瑞安 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于增强关于诸如非易失性数据存储阵列中的磁存储元件的数据写入和保持的装置和方法。根据各种实施例，可编程存储元件具有参考层和存储层。该参考层设有固定的磁定向。该存储层被编程为具有带有与所述固定的磁定向反平行的磁定向的第一区域、和带有与所述固定的磁定向平行的磁定向的第二区域。可在存储元件中纳入热辅助层以在写入操作期间增强存储层的局部加热从而帮助第一区域从平行磁定向到反平行磁定向的转变。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 存储 元件 | ||
【主权项】：
一种包括可编程存储元件的装置，所述可编程存储元件具有参考层和存储层，所述参考层具有固定的磁定向，所述存储层具有与所述固定的磁定向反平行的磁定向的第一区域和与所述固定的磁定向平行的磁定向的第二区域。
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