[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201110365085.X 申请日: 2011-11-17
公开(公告)号: CN102467966A 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 安正烈;吴尚炫;金占寿 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: G11C16/14 分类号: G11C16/14;G11C16/06
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 郭放;许伟群
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 操作半导体存储器件的方法包括:提供具有存储器单元串的存储器阵列,存储器单元串包括:具有串联连接的存储器单元的第一和第二存储器单元组;串联连接在第一和第二存储器单元组之间的第一和第二虚设元件;连接至第一和第二存储器单元组的漏极选择晶体管和源极选择晶体管,其中第一和第二存储器单元组设置在漏极选择晶体管与源极选择晶体管之间;在第一或第二存储器单元组的编程操作或读取操作期间,通过第一和第二虚设元件的操作,将第一存储器单元组电连接至第二存储器单元组;在存储器阵列的擦除操作中单独地执行第一和第二存储器单元组的擦除操作,同时地选择第一和第二虚设元件中与在选中的存储器单元组的擦除操作期间选中的存储器单元组相邻的一个。
搜索关键词: 半导体 存储 器件 及其 操作方法
【主权项】:
一种半导体存储器件,包括:被配置成具有存储器单元串的存储器阵列,所述存储器单元串包括:具有串联连接的存储器单元的第一存储器单元组;具有串联连接的存储器单元的第二存储器单元组,其中在针对擦除操作而选中所述第一存储器单元组的情况下所述第二存储器单元组不被选中,而在针对擦除操作而选中所述第二存储器单元组的情况下所述第一存储器单元组不被选中;串联连接在所述第一存储器单元组与所述第二存储器单元组之间的第一虚设元件和第二虚设元件,其中所述第一虚设元件和所述第二虚设元件被配置成在选中的存储器单元的编程操作或读取操作期间将所述第一存储器单元组电连接到所述第二存储器单元组;以及连接至所述第一存储器单元组和所述第二存储器单元组的漏极选择晶体管和源极选择晶体管,其中所述第一存储器单元组和所述第二存储器单元组被设置在所述漏极选择晶体管与所述源极选择晶体管之间,其中,在针对擦除操作而选中的存储器单元组的擦除操作期间,第一虚设元件和第二虚设元件中与针对擦除操作而选中的存储器单元组相邻的一个被选中。
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