[发明专利]具有低温度系数的稀土钴基永磁体及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110365123.1 申请日: 2011-11-17
公开(公告)号: CN102403082A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: 李卫;方以坤;郭朝晖;朱明刚;潘伟 申请(专利权)人: 钢铁研究总院
主分类号: H01F7/02 分类号: H01F7/02;H01F1/053;H01F41/02;B22F9/04;B22F3/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张军
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种具有低温度系数的稀土钴基永磁体及其制备方法。具有低温度系数的稀土钴基永磁体的化学成分按质量百分比为:Sm10%~20%、RE8%~16%、Fe14%~17%、Cu5%~8%、Zr1%~3%、余量为Co,其中,重稀土元素RE是从Gd、Dy、Tb、Er和Ho中选择的至少两种。根据本发明的稀土钴基永磁体不仅可以具有超低温度系数,而且具有高的磁性能,适用于精密磁性器件的核心部件。
搜索关键词: 具有 温度 系数 稀土 永磁体 及其 制备 方法
【主权项】:
一种具有低温度系数的稀土钴基永磁体,其特征在于所述稀土钴基永磁体的化学成分按质量百分比为:Sm10%~20%、RE8%~16%、Fe14%~17%、Cu5%~8%、Zr1%~3%、余量为Co,其中,重稀土元素RE是从Gd、Dy、Tb、Er和Ho中选择的至少两种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于钢铁研究总院,未经钢铁研究总院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110365123.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top