[发明专利]具有低温度系数的稀土钴基永磁体及其制备方法无效
申请号: | 201110365123.1 | 申请日: | 2011-11-17 |
公开(公告)号: | CN102403082A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 李卫;方以坤;郭朝晖;朱明刚;潘伟 | 申请(专利权)人: | 钢铁研究总院 |
主分类号: | H01F7/02 | 分类号: | H01F7/02;H01F1/053;H01F41/02;B22F9/04;B22F3/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张军 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有低温度系数的稀土钴基永磁体及其制备方法。具有低温度系数的稀土钴基永磁体的化学成分按质量百分比为:Sm10%~20%、RE8%~16%、Fe14%~17%、Cu5%~8%、Zr1%~3%、余量为Co,其中,重稀土元素RE是从Gd、Dy、Tb、Er和Ho中选择的至少两种。根据本发明的稀土钴基永磁体不仅可以具有超低温度系数,而且具有高的磁性能,适用于精密磁性器件的核心部件。 | ||
搜索关键词: | 具有 温度 系数 稀土 永磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有低温度系数的稀土钴基永磁体,其特征在于所述稀土钴基永磁体的化学成分按质量百分比为:Sm10%~20%、RE8%~16%、Fe14%~17%、Cu5%~8%、Zr1%~3%、余量为Co,其中,重稀土元素RE是从Gd、Dy、Tb、Er和Ho中选择的至少两种。
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