[发明专利]像素结构、阵列基板及其制作方法无效
申请号: | 201110365265.8 | 申请日: | 2011-11-17 |
公开(公告)号: | CN102508385A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 高金字;郭晋川;吕雅茹 | 申请(专利权)人: | 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 215217 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种像素结构包括一基板、一第一金属图案层、一绝缘层、一第二金属图案层、一保护层以及一导电性保护层。基板具有至少一像素区。第一金属图案层设于基板上,且具有一上表面。绝缘层设于第一金属图案层与基板上,且与第一金属图案层的上表面接触。第二金属图案层设于像素区的绝缘层上,且第二金属图案层包括一源极与一漏极。保护层设于第二金属图案层与绝缘层上,其中源极的一上表面是与保护层直接接触。导电性保护层设于漏极上。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种像素结构,其特征在于,包括:一基板,具有至少一像素区;一第一金属图案层,设于该基板上,且该第一金属图案层具有一上表面;一绝缘层,设于该第一金属图案层与该基板上,且该绝缘层与该第一金属图案层的该上表面接触;一半导体图案层,设于该像素区中的该绝缘层上;一第一导电性保护层,设于该半导体图案层上;一第二金属图案层,设于该第一导电性保护层上,且该第二金属图案层包括一源极与一漏极;一保护层,设于该第二金属图案层与该绝缘层上,其中该源极的一上表面是与该保护层直接接触;一第二导电性保护层,设于该漏极上;以及一透明导电图案层,设于该保护层与该第二导电性保护层上。
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