[发明专利]一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法无效
申请号: | 201110365782.5 | 申请日: | 2011-11-17 |
公开(公告)号: | CN102403378A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 曾祥斌;郑雅娟;文国知;廖武刚;马昆鹏;陈晓琴 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/075;H01L31/20 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池及其制备方法,依次在柔性衬底上制备SiN薄膜绝缘层、ZnO薄膜缓冲层、Al背电极、NIP型薄膜、AZO薄膜和Al前电极,其中NIP型薄膜中的N层为微晶硅薄膜,I层为含量子点氮化硅薄膜,P层为非晶碳化硅薄膜。本发明由于采用了含量子点结构的氮化硅薄膜做I层,可以有效的提高电池的光电转换效率,又由于采用ZnO薄膜缓冲层,使得电池的光电转换效率得到提高。该柔性电池具有极好的柔软性,可以任意卷曲。同时制备工艺简单,可实现规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 量子 结构 柔性 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有量子点结构的柔性薄膜太阳能电池,从下往上依次包括柔性衬底、SiN薄膜绝缘层、ZnO薄膜缓冲层、Al背电极、NIP型薄膜、AZO薄膜和Al前电极,其中NIP型薄膜中的N层为微晶硅薄膜,I层为含量子点氮化硅薄膜,P层为非晶碳化硅薄膜。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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