[发明专利]提高浮体效应存储单元写入速度的方法及半导体器件

摘要

本发明提出一种能够提高浮体效应存储单元写入速度的制造方法及中间过渡半导体器件，属于半导体制造技术领域。本发明的核心为：在沉积侧墙材料时，反应物等离子体的引入方向与源极位置的衬底表面的夹角小于90度，而与漏极位置衬底表面的夹角大于90度；对侧墙材料进行刻蚀，在栅极两侧形成侧墙，且靠近源极的侧墙的宽度大于靠近漏极的侧墙的宽度；以侧墙为掩模，进行重掺杂以及退火工艺，形成源极以及漏极，且漏极的掺杂离子离沟道距离被拉近，源极的掺杂离子与沟道和衬底的距离被拉远。本发明一方面提高了漏极沟道中的纵向电场，增大了衬底电流，另一方面降低了积聚载流子从源极的泄漏速度，从而提高了浮体效应存储单元的写入速度。

主权项

一种提高浮体效应存储单元写入速度的制造方法，包括以下步骤：步骤一：提供底层硅，所述底层硅上形成有埋氧层，所述埋氧层上形成有衬底，所述衬底上依次形成有栅氧化层以及栅极，所述栅极下方的衬底中形成沟道，在所述栅极与栅氧化层表面以及衬底表面沉积侧墙材料，在侧墙材料沉积的过程中，反应物等离子体的引入方向与源极位置的衬底表面的夹角小于90度，而与漏极位置衬底表面的夹角大于90度，使得靠近源极位置的栅极侧壁上的侧墙材料厚度超过靠近漏极位置的栅极侧壁上的侧墙材料；步骤二：对侧墙材料进行刻蚀，在栅极与栅氧化层两侧形成侧墙，且靠近源极位置的侧墙的宽度大于靠近漏极位置的侧墙的宽度；步骤三：以所述侧墙为掩模，进行重掺杂以及退火工艺，在栅极两侧的衬底中形成源极以及漏极。