[发明专利]一种制备HfLaO高介电栅介质薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110366551.6 | 申请日： | 2011-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102437040A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 李智 | 申请（专利权）人： | 大连大学 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;C23C14/35 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅 |
| 地址： | 116622 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种制备HfLaO高介电栅介质薄膜的方法，以单晶硅片为衬底，包括衬底清洗和薄膜沉积的步骤，所述薄膜沉积的步骤是采用射频磁控溅射技术，金属Hf靶的溅射入射功率为120w，金属La靶的溅射入射功率为40～100w，室温下在衬底单晶硅片上同时溅射沉积2小时，得到HfLaO薄膜。本发明通过调节La、Hf两种金属靶材的入射功率，较好地控制薄膜中La/Hf原子比，从而在半导体衬底材料上沉积具有高的结晶温度和热学稳定性、表面平整、结构致密的非晶态HfLaO栅介质薄膜作为高介电栅介质薄膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 hflao 高介电栅 介质 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备HfLaO高介电栅介质薄膜的方法，以单晶硅片为衬底，包括衬底清洗和薄膜沉积的步骤，其特征在于，所述薄膜沉积的步骤是采用射频磁控溅射技术，金属Hf靶的溅射入射功率为120w，金属La靶的溅射入射功率为40～100w，室温下在衬底单晶硅片上同时溅射沉积2小时，得到HfLaO薄膜；所述HfLaO薄膜中，La原子含量占La原子和Hf原子总量的比为17～37％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
