[发明专利]一种金属化前电介质层制作方法无效
| 申请号： | 201110366759.8 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103123908A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 张彬;邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种金属化前电介质层的制作方法，该方法在沉积和化学机械研磨氧化硅层后，对氧化硅层进行等离子体处理在氧化硅层中形成张应力，更进一步制作氧化硅材料的盖层并进行第二次等离子体处理，通过制作具有张应力的金属化前电介质层和盖层，使张应力作用于NMOS的栅极，从而提高NMOS的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属化 电介质 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属化前电介质层的制作方法，提供具有NMOS器件结构的晶片，所述晶片的器件面上沉积氧化硅层，化学机械研磨所述氧化硅层后，其特征在于，该方法还包括：所述氧化硅层进行第一等离子体处理，形成具有张应力的金属化前电介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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