[发明专利]Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件

摘要

本发明公开了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，绝缘介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第一半导体设置于源、漏电极之间，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，主栅设置于第二半导体表面靠近源电极一侧，并与第二半导体形成肖基特接触，且位于主栅下方的第二半导体局部区域内部还形成有等离子体处理区；介质层形成于第二半导体和主栅表面，并设置在源、漏电极之间；副栅形成于介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠。本发明能从根本上有效抑制“电流崩塌效应”。

主权项

一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源电极、漏电极以及异质结构，所述源电极与漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，所述异质结构包括第一半导体和第二半导体，所述第一半导体设置于源电极和漏电极之间，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，其特征在于，所述HEMT器件还包括主栅、绝缘介质层和副栅，其中：所述主栅设置于第二半导体表面靠近源电极一侧，并与第二半导体形成肖基特接触，且位于主栅下方的第二半导体局部区域内部还形成有等离子体处理区；所述介质层形成于第二半导体和主栅表面，并设置在所述源电极和漏电极之间；所述副栅形成于介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠。