[发明专利]Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件有效
| 申请号： | 201110367361.6 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102427086A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 蔡勇;于国浩;董志华;王越;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，第一、二介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、二半导体，第一半导体设于源、漏电极之间，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，第一介质层设于第二半导体表面，第二介质层设于第一介质层和主栅表面，主栅设于第一介质层表面靠近源电极一侧，并与第一介质层、第二半导体形成MIS结构，且位于主栅下方的第二半导体局部区域内部还形成有等离子体处理区，副栅形成于第二介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠。本发明能从根本上有效抑制“电流崩塌效应”。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 增强 mishemt 器件 | ||
【主权项】：
一种Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件，包括源电极、漏电极以及异质结构，所述源电极与漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，所述异质结构包括第一半导体和第二半导体，所述第一半导体设置于源电极和漏电极之间，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，其特征在于，所述MISHEMT器件还包括主栅、绝缘介质层和副栅，其中：所述绝缘介质层包括第一介质层和第二介质层，所述第一介质层形成于第二半导体表面，所述第二介质层形成于第一介质层和主栅表面，所述主栅设置于第一介质层表面靠近源电极一侧，并与第一介质层和第二半导体形成金属‑绝缘层‑半导体结构，且位于主栅下方的第二半导体局部区域内部还形成有等离子体处理区；所述副栅形成于第二介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠。
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