[发明专利]一种具有图形衬底的发光二极管在审
申请号: | 201110367493.9 | 申请日: | 2011-11-18 |
公开(公告)号: | CN103050596A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 肖志国;唐勇;武胜利;李倩影;孙英博;薛念亮 | 申请(专利权)人: | 大连美明外延片科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 116025 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明提供了一种新的具有图形衬底的发光二极管结构,其衬底以中心为圆心分成5-8个同心环状区域,同一环状区域内的图形的尺寸和图形之间的距离相同,不同环状区域内的图形的尺寸和图形之间的距离由内向外依次递增。本发明能够降低外延生长过程中的残余应力,减小晶体缺陷,提高内量子效率,从而有利于改善芯片的波长均匀性,改善芯片的漏电,提高芯片的亮度。该技术在采用大尺寸的生长衬底时效果更加明显,有利于减小其翘曲度。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 图形 衬底 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种具有图形衬底的发光二极管,其结构包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层,其特征在于,所述衬底以中心为圆心分成n个同心环状区域, 5≤n≤8,所述环状区域内带有图形;同一环状区域内的图形尺寸相同,图形的垂直深度为0.5‑3微米,图形的截面为圆形、椭圆形、矩形或等腰三角形,图形截面的横向尺寸为1‑10微米,纵向尺寸为1‑10微米;所述横向尺寸由内部环状区域向外部环状区域递增,递增幅度为0.1‑2微米。
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