[发明专利]一种介孔AlN或GaN微粒的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110367834.2 申请日: 2011-11-18
公开(公告)号: CN102502534A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 颜国君 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: C01B21/06 分类号: C01B21/06;C01B21/072;B82Y40/00
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 李娜
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种介孔AlN或GaN微粒的制备方法,其原料由A组份和B组份组成,A组份为AlCl3、AlBr3、Al2S3、GaCl3或GaBr3的一种,B组份为Mg3N2、Ca3N2或Li3N的一种,Al或Ga与N的摩尔量相同;A、B组分装入球磨罐密封后球磨,然后装入反应容器,放入电加热炉中加热后保温,然后用稀酸浸泡,对溶液进行抽滤即得介孔AlN或GaN微粒;最后干燥即完成。本发明能有效地制备出孔径小,孔占有空间大,孔的比表面积大的介孔AlN或GaN微粒,为储氢、燃料电池、光催化裂解水、紫外探测与传感器以及非线性光学等领域的应用及其推动这些领域的技术进步提供了良好的基础。
搜索关键词: 一种 aln gan 微粒 制备 方法
【主权项】:
一种介孔AlN或GaN微粒的制备方法,其特征在于,包括以下操作步骤:步骤1,原料配制:称取原料,原料由A组份和B组份组成,A组分中所含Al或Ga的摩尔量与B组分所含的N的摩尔量相同;A组份为纯度不低于无水的工业纯级的AlCl3、AlBr3或Al2S3中的一种,或纯度不低于无水的工业纯级的GaCl3或GaBr3中的一种;B组份为纯度不低于工业纯级的Mg3N2、Ca3N2或Li3N的一种;步骤2,A、B组分混合:把步骤1称量好的A、B组分装入球磨罐,加入磨球并盖上球磨罐盖,使球磨罐内呈密封状态,然后把密封的球磨罐装在球磨机上以400r/min~800r/min球磨2~5h,使得A、B组分混合均匀;步骤3:介孔AlN或GaN的合成:把经步骤2球磨混合均匀的A组分和B组分的混合物装入反应容器,然后密封反应容器,把密封的反应容器放入电加热炉,然后以300℃/h~500℃/h加热速度加热到600~900℃,再在该温度下保温2~8h以使反应充分进行;步骤4:介孔AlN或GaN微粒的分离:把步骤3得到的反应产物用稀酸浸泡1~2h,使其中的副产物充分溶解在酸中,然后对溶液进行抽滤,即获得介孔AlN或GaN微粒;步骤5:干燥:将步骤4制得的介孔AlN或GaN微粒在干燥箱中于80~200℃的温度 下干燥2~4小时,即完成。
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