[发明专利]具有复数个贯穿孔洞的电流阻断层的发光二极管结构无效
| 申请号： | 201110369117.3 | 申请日： | 2011-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN103107254A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 黄国瑞 | 申请（专利权）人： | 鼎元光电科技股份有限公司竹南分公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾苗栗*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有复数个贯穿孔洞的电流阻断层的发光二极管结构，可用于诸如一般发光二极管、高压发光二极管、交流电发光二极管等发光二极管领域，其是设有一电流阻断层以提高发光效率，且该电流阻断层具有复数个贯穿孔洞，透过设置于该些贯穿孔洞中的导电填充层，电流得以更均匀地分散流通至于P型半导体层，进而使本发明的发光层可以均匀地发光，达到提高发光效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 复数 贯穿 孔洞 电流 阻断 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种具有复数个贯穿孔洞的电流阻断层的发光二极管结构，其特征在于，其是包含：一基板；一N型半导体层，是设于该基板的上方；一发光层，是设于该N型半导体层的上方；一P型半导体层，是设于该发光层的上方；一电流阻断层，是设于该P型半导体层的上方，其具有复数个贯穿孔洞，该些贯穿孔洞是与该P型半导体层相接触，且每一该些贯穿孔洞之内是设置一导电填充层；及一透明导电层，是覆盖该电流阻断层的上方。
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