[发明专利]一种蓝宝石单晶位错密度检测方法无效
申请号: | 201110369165.2 | 申请日: | 2011-11-19 |
公开(公告)号: | CN102445373A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 柳祝平;黄小卫 | 申请(专利权)人: | 元亮科技有限公司 |
主分类号: | G01N1/32 | 分类号: | G01N1/32;G01N21/88 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 殷红梅;涂三民 |
地址: | 214037 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种蓝宝石单晶位错密度检测方法,它包括:在蓝宝石样品上切割下样品薄片,在样品薄片的边缘部开设小孔;样品薄片使用酒精、去离子水清洗后使用惰性气体吹干,将钼丝通过小孔将样品薄片悬挂起来;将KOH溶液加入腐蚀容器中,给加热炉加热使得KOH溶液升温,样品薄片浸没在KOH溶液中;在样品薄片的上表面取多个检测面,在金相显微镜下统计出每个检测面内的位错腐蚀坑个数;计算出样品薄片上每个选定检测面对应的位错腐蚀坑密度,计算出对应方向上切割下来的每块样品薄片的位错腐蚀坑平均密度,计算出该蓝宝石样品的位错腐蚀坑平均密度。本发明方法腐蚀更充分,检测结果更精确,图像清晰,可方便准确计算出位错密度。 | ||
搜索关键词: | 一种 蓝宝石 单晶位错 密度 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种蓝宝石单晶位错密度检测方法,其特征是该检测方法包括如下步骤:a、在蓝宝石样品上沿着多个方向切割下厚度为1~2mm的样品薄片,将样品薄片的上下表面进行粗磨和细磨,打磨后,在样品薄片的边缘部开设用于悬挂的小孔;b、开设完小孔的样品薄片先使用酒精进行清洗,然后使用去离子水进行清洗,去离子水进行清洗后使用惰性气体吹干样品薄片,将耐热丝线通过小孔将样品薄片悬挂起来;c、将重量百分含量为80%~100%的KOH溶液加入腐蚀容器中,腐蚀容器放入加热炉内,加热炉加热使得KOH溶液升温至300~400℃,悬挂起来的样品薄片浸没在KOH溶液中,进行湿法腐蚀,湿法腐蚀时间控制在20~30分钟;d、取出湿法腐蚀后的样品薄片,用去离子水清洗,去离子水清洗后用惰性气体吹干,然后在每个待检的样品薄片的上表面取多个检测面,在金相显微镜下统计出每个检测面内的位错腐蚀坑个数;e、根据检测面的面积以及统计出的每个检测面内的位错腐蚀坑个数,计算出样品薄片上每个选定检测面对应的位错腐蚀坑密度,然后计算出对应方向上切割下来的每块样品薄片的位错腐蚀坑平均密度,最后计算出该蓝宝石样品的位错腐蚀坑平均密度。
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