[发明专利]一种新型的TMCP工艺

摘要

本发明提供一种新型的TMCP工艺，即采用完全再结晶高温区轧制、完全再结晶低温区轧制、未再结晶区轧制和控制冷却等工序。该工艺包括以下步骤：完全再结晶高温区轧制，轧制温度为1050℃～1150℃，总变形量为25%～35%；完全再结晶低温区轧制，轧制温度为960℃～1020℃，总变形量为25%～40%；未再结晶区轧制，轧制温度为950℃～840℃，总变形量为55%～72%，终轧温度为780℃～820℃；采用层流冷却进行控制冷却，冷却速度为5℃/s～30℃/s。采用本发明一种新型TMCP工艺，可有效控制完全再结晶区轧制完成后的晶粒长大，从而得到更加细小的晶粒组织；可有效清除各阶段生成的氧化铁皮。

主权项

一种新型的TMCP工艺，其特征在于，该工艺是采用完全再结晶高温区轧制、完全再结晶低温区轧制、未再结晶区轧制和控制冷却等工序，该工艺包括以下步骤：（1）完全再结晶高温区轧制，轧制温度为1050℃～1150℃，采用一个或多个道次轧制，总变形量为25%～35%； （2）完全再结晶低温区轧制，轧制温度为960℃～1020℃，采用一个或多个道次轧制，总变形量为25%～40%；（3）未再结晶区轧制，轧制温度为950℃～840℃，采用一个或多个道次轧制，总变形量为55%～72%；（4）终轧，轧制温度为780℃～820℃；（5）控制冷却，采用层流冷却，冷却速度为5℃/s～30℃/s。