[发明专利]DRAM的列选择信号的控制电路及包括其的存取存储器有效
| 申请号： | 201110369979.6 | 申请日： | 2011-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN103123806A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 解玉凤;林殷茵 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙) 31268 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属动态随机存取存储器技术领域，涉及一种动态随机存取存储器的列选择信号的控制电路。所述控制电路包括列选择信号生成电路，还包括：与所述动态随机存取存储器的存储单元相应的冗余单元、以及冗余字线驱动模块；其中，当所述冗余单元的放大读出电压与预置的电压阈值相匹配时，所述列选择信号生成电路生成列选择信号。该动态随机存取存储器，其包括存储阵列、存储阵列中的存储单元的读通路，其特征在于，所述存储阵列中还包括冗余单元，所述动态随机存取存储器还包括该列选择信号的控制电路。该动态随机存取存储器在保证读可靠性的同时，提高读操作速度。 | ||
| 搜索关键词： | dram 选择 信号 控制电路 包括 存取 存储器 | ||
【主权项】：
一种动态随机存取存储器的列选择信号的控制电路，所述控制电路包括列选择信号生成电路，其特征在于，所述控制电路还包括：与所述动态随机存取存储器的存储单元相应的冗余单元、以及冗余字线驱动模块；其中，当所述冗余单元的放大读出电压与预置的电压阈值相匹配时，所述列选择信号生成电路生成列选择信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110369979.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
