[发明专利]带隙基准电路有效
| 申请号： | 201110370506.8 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103123512A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 万美琳 | 申请（专利权）人： | 联芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 卢刚 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子电路，公开了一种带隙基准电路。本发明中，利用一个运算放大器替代传统带隙基准电路结构中由M1和M2组成的有源电流镜偏置电路，使得pnp双极型晶体管基极-射极两端的负温度系数电压VBE1精确地施加在电阻R3两端：VR3＝VBE1，不发生偏离，从而减小不同工艺角下，输出电压的变化，使得带隙基准电路具有较好的工艺稳定性。进一步地，通过在输出端连接一个由N型MOS管构成的反向pn结，可以有效改善现有技术中的温度补偿缺陷，降低温度系数。进一步地，采用共源共栅结构可以提高电路的电源抑制比，并且优选地将预稳压器运用到该带隙基准电路中，使得该带隙基准电路在保证低温度系数的同时，还能获得更高的电源抑制特性。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种带隙基准电路，包含负温度系数电流的产生电路，其特征在于，在所述负温度系数电流的产生电路中，由运算放大器替代有源电流镜偏置电路；所述运算放大器的正极接至用于产生所述负温度系数电流的电阻R3；所述运算放大器的负极接至双极型晶体管Q1。
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