[发明专利]可调谐热光带通滤波器像素阵列的制作方法有效
申请号: | 201110370908.8 | 申请日: | 2011-11-21 |
公开(公告)号: | CN102509729A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 时文华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种可调谐热光带通滤波器像素阵列的制作方法,通过光刻、刻蚀工艺在腔体材料的正面制作热隔离柱,并利用Au/Au键合方式实现热隔离;同时利用Au薄膜的宽光谱、高反射率特性,并采用高热光系数的晶态半导体材料作为腔体实现F-P腔热光可调谐滤波器。本方法中,无需生长具有近红外波段低吸收系数的非晶硅薄膜材料,大大降低了光学膜生长难度。 | ||
搜索关键词: | 调谐 带通滤波器 像素 阵列 制作方法 | ||
【主权项】:
一种可调谐热光带通滤波器像素阵列的制作方法,其特征在于,包括:1)选取腔体材料以及衬底材料;2)通过光刻、刻蚀工艺在腔体材料的正面制作热隔离柱;3)在腔体材料正面的非隔离柱区的刻蚀表面及热隔离柱的表面蒸镀Au金属层;4)在衬底材料表面蒸镀Au金属层;5)将腔体材料及衬底材料的Au金属层进行键合;6)刻蚀腔体材料的背面,使所述腔体材料的厚度为所用近红外检测光的1/2光学波长的整数倍;7)采用光刻、刻蚀工艺分隔腔体材料上的像素点,形成像素阵列;8)在各像素表面制备高反射率介质膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的