[发明专利]可调谐热光带通滤波器像素阵列的制作方法有效

专利信息
申请号: 201110370908.8 申请日: 2011-11-21
公开(公告)号: CN102509729A 公开(公告)日: 2012-06-20
发明(设计)人: 时文华 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215123 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种可调谐热光带通滤波器像素阵列的制作方法,通过光刻、刻蚀工艺在腔体材料的正面制作热隔离柱,并利用Au/Au键合方式实现热隔离;同时利用Au薄膜的宽光谱、高反射率特性,并采用高热光系数的晶态半导体材料作为腔体实现F-P腔热光可调谐滤波器。本方法中,无需生长具有近红外波段低吸收系数的非晶硅薄膜材料,大大降低了光学膜生长难度。
搜索关键词: 调谐 带通滤波器 像素 阵列 制作方法
【主权项】:
一种可调谐热光带通滤波器像素阵列的制作方法,其特征在于,包括:1)选取腔体材料以及衬底材料;2)通过光刻、刻蚀工艺在腔体材料的正面制作热隔离柱;3)在腔体材料正面的非隔离柱区的刻蚀表面及热隔离柱的表面蒸镀Au金属层;4)在衬底材料表面蒸镀Au金属层;5)将腔体材料及衬底材料的Au金属层进行键合;6)刻蚀腔体材料的背面,使所述腔体材料的厚度为所用近红外检测光的1/2光学波长的整数倍;7)采用光刻、刻蚀工艺分隔腔体材料上的像素点,形成像素阵列;8)在各像素表面制备高反射率介质膜。
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