[发明专利]提高超级结产品良率的工艺方法无效
| 申请号： | 201110372020.8 | 申请日： | 2011-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN103123893A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 张帅;钟秋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201206 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高超级结产品良率的工艺方法，步骤一、根据超级结产品击穿电压的晶圆面内分布图确定晶圆内需要进行沟槽宽度补偿的区域和补偿数值；步骤二、根据得到的沟槽宽度补偿的区域和补偿数值，采用光刻工艺方法对需要沟槽宽度补偿的区域进行补偿。本发明能使晶圆面内击穿电压分布均一，进而提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 超级 产品 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种提高超级结产品良率的工艺方法，其特征在于：步骤一、根据超级结产品击穿电压的晶圆面内分布图确定晶圆内需要进行沟槽宽度补偿的区域和补偿数值；步骤二、根据得到的沟槽宽度补偿的区域和补偿数值，采用光刻工艺方法对需要沟槽宽度补偿的区域进行补偿。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
