[发明专利]一种强磁场下铝合金氧化膜层的制备方法有效
| 申请号： | 201110372406.9 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102409381A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 张伟强;娄长胜;金光;寇荧 | 申请（专利权）人： | 沈阳理工大学 |
| 主分类号： | C25D11/04 | 分类号： | C25D11/04 |
| 代理公司： | 沈阳利泰专利商标代理有限公司 21209 | 代理人： | 李枢 |
| 地址： | 110159 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种强磁场下铝合金氧化膜层的制备方法，属于金属表面工程领域。它是对基片进行预处理，然后放入反应槽内，反应槽安置在1～10T的超导强磁场中。作为阳极的铝合金基片与磁场方向成平行或垂直位置布放。在4～20V恒电压下通电10～60分钟，完成氧化，生成致密的、显微组织可控的保护性混晶氧化铝膜层。本发明是一种高效制备高质量混晶氧化膜层的方法，通过强磁场来改变氧化膜层混晶组织中晶态、非晶态氧化铝的比例，同时增加膜层的厚度，减小保护膜层的摩擦系数，由此提高铝合金保护膜层的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁场 铝合金 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种强磁场下铝合金氧化膜层的制备方法，其特征在于采用硫酸直流阳极氧化法制造，其工艺步骤如下：a.对铝合金基片进行如下预处理：有机溶剂除油、浸蚀、水洗、化学抛光再次水洗后超声清洗烘干；b.使用纯硫酸铝和硫酸配制电解液，以水浴方式对电解液进行加温至20～70℃；c.以预处理后的铝合金基片作为阳极放置进超导强磁场中，连接电源，保持恒位电压4～20V；d.可根据需要将作为阳极的铝合金基片与磁场方向成平行或垂直位置布放；e.通过超导线圈施加1～10 特斯拉的强磁场，接通电源开始进行反应过程，时间为10～60分钟；f.采用上述的方法在铝合金基体上可制得不同厚度的氧化铝混晶薄膜。
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