[发明专利]一种基于金属Co的抛光工艺的抛光液及其应用有效
| 申请号： | 201110372757.X | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN102516875A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 鲁海生;屈新萍;王敬轩 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C23F3/06 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁;贾慧琴 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于金属Co的抛光工艺的抛光液及其应用，该抛光液组分包含以下按重量百分数计的原料：抑制剂0.01-2%，氧化剂0-5%，研磨颗粒0.1-10%，螯合剂0.001-10%，余量为水；上述原料通过pH值调节剂调节至该抛光液的pH值为3-5；该抑制剂选自含S、N或同时含S和N的五元杂环衍生物中的任意一种以上；该氧化剂选自过氧化氢，过硫酸铵，高碘酸钾，高氯酸钾中的任意一种以上；该研磨颗粒选自二氧化硅，二氧化铈，三氧化二铝中的任意一种以上；该螯合剂选择：氨基酸或柠檬酸或二者的混合物。本发明的抛光液能有效抑制钴的静态腐蚀，降低钴的抛光速率，防止钴在抛光过程中的过腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 co 抛光 工艺 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种基于金属Co的抛光工艺的抛光液，其特征在于，该抛光液组分包含以下按重量百分数计的原料：抑制剂 0.01‑2 % ，氧化剂 0‑5 %，研磨颗粒 0.1‑10 %，螯合剂 0.001‑10 %，余量为水；上述原料通过pH值调节剂调节至该抛光液的pH值为3‑5；所述抑制剂选自含S、N或同时含S和N的五元杂环衍生物中的任意一种以上； 所述氧化剂选自过氧化氢，过硫酸铵，高碘酸钾，高氯酸钾中的任意一种以上；所述的研磨颗粒选自二氧化硅，二氧化铈，三氧化二铝中的任意一种以上；所述的螯合剂选择：氨基酸或柠檬酸或二者的混合物。
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