[发明专利]具有硫属化物梯度的含硫属化物半导体有效
| 申请号： | 201110372949.0 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102468438A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 达维德·埃尔贝塔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有硫属化物梯度的含硫属化物半导体。可形成具有在硫属化物膜与另一膜之间的梯度膜的含硫属化物半导体装置。所述梯度膜可使其硫属化物浓度随着其延伸远离所述硫属化物膜而减小，而另一膜材料的浓度跨越所述梯度膜的厚度随移动远离所述硫属化物膜而增加。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 硫属化物 梯度 含硫属化物 半导体 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：形成具有在硫属化物与另一膜之间的梯度膜的含硫属化物半导体装置，使得硫属化物的浓度跨越所述梯度膜的厚度而改变。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110372949.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：功率转换模块的散热装置
- 下一篇：具有层间连接孔的传感器元件
