[发明专利]背接触硅太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种背接触硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)在硅片表面开设孔洞，然后在其受光面进行制绒；(2)在硅片的受光面扩散制结，在硅片受光面、周边及孔洞内形成PN结；(3)在硅片受光面、周边和孔洞内的PN结上设置透明导电膜；(4)对硅片周边进行刻蚀，去除硅片周边的透明导电膜和PN结；然后在硅片受光面的透明导电膜上镀设减反射膜；(5)在硅片的非镀膜面上制备贯孔电极、背金属电极、背钝化场，即可得到所述背接触硅太阳能电池。本发明制备得到的背接触硅太阳能电池的受光面没有电极遮挡，避免了遮光损失，显著提高了光电转化效率；需要开设的孔洞也大大减少，从而大大降低了碎片率，而且简化了制备工序。

主权项

一种背接触硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 在硅片的受光面进行制绒，然后开设孔洞；(2) 在上述硅片的受光面扩散制结，在硅片受光面、周边及孔洞内形成PN结；(3) 去除磷硅或硼硅玻璃后，在上述硅片受光面、周边和孔洞内的PN结上设置透明导电膜；(4) 对硅片周边进行刻蚀，去除硅片周边的透明导电膜和PN结；然后在硅片受光面的透明导电膜上镀设减反射膜；(5) 在上述硅片的非镀膜面上制备贯孔电极、背金属电极、背钝化场，即可得到所述背接触硅太阳能电池；所述贯孔电极与透明导电膜电连通。