[发明专利]杂化电极、其制备方法及使用该杂化电极的太阳能电池有效
| 申请号： | 201110374040.9 | 申请日： | 2011-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN103137715A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;冯小明;梁禄生 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/04 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518100 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种杂化电极，其包括导电基底及覆盖在所述导电基底上的MgO:TiO2多孔半导体杂化薄膜。上述杂化电极形成MgO:TiO2多孔半导体杂化薄膜，由于MgO属于一种宽禁带半导体，掺杂在TiO2纳米粒子中时，使得光激发到MgO的电子很容易注入到TiO2导带上，同时把激发产生的空穴向电极/溶液界面传递，这种结构提高了光生载流子的分离效率，因此能够有效避免电子与电解液中的空穴复合的现象，有助于电池的光电流响应，从而提高光电转换效率。本发明还提供上述杂化电极的制备方法及使用该杂化电极的太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 制备 方法 使用 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种杂化电极，其包括导电基底，其特征在于，所述杂化电极还包括覆盖在所述导电基底上的MgO:TiO2多孔半导体杂化薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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