[发明专利]一种实现BiCMOS器件中扩展基区结构的方法

摘要

本发明公开了一种实现BiCMOS器件中扩展基区结构的方法，包括如下步骤：1，使用有机抗反射层填平器件台阶区域，使用光刻胶曝光形成扩展基区图形；2，使用有机抗反射层对氮化硅的高选择比且各向异性刻蚀有机抗反射层，刻蚀停止在下层氮化硅上；3，使用高选择比且各向异性刻蚀氮化硅和氧化硅硬质掩膜，保证栅极侧壁氮化硅完全去除，刻蚀停止在下层多晶硅上；4，使用湿法去除侧壁残留的氧化硅和多晶硅上的自然氧化膜；5，刻蚀多晶硅形成最终的扩展基区结构。该方法在保证介质膜完全刻蚀干净的同时，扩展基区的光刻胶形貌不会有大的变化，以确保后续的基区多晶硅刻蚀形貌稳定，同时达到负线宽损失量效果，增大了工艺窗口以及量产稳定性。

主权项

一种实现BiCMOS器件中扩展基区结构的方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1，使用有机抗反射层填平器件台阶区域，使用光刻胶曝光形成扩展基区图形；步骤2，使用有机抗反射层对氮化硅的高选择比并且各向异性刻蚀条件刻蚀有机抗反射层，刻蚀停止在下层氮化硅上；步骤3，使用高选择比并且各向异性刻蚀条件刻蚀氮化硅和氧化硅硬质掩膜，保证栅极侧壁氮化硅完全去除，刻蚀停止在下层多晶硅上；步骤4，使用湿法工艺去除侧壁残留的氧化硅和多晶硅上的自然氧化膜；步骤5，刻蚀多晶硅，形成最终的扩展基区结构。