[发明专利]一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法有效
| 申请号： | 201110375079.2 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102427034A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 汪宁;陈晓娟;罗卫军;庞磊;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/02;C09G1/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法，包括：在GaAs晶片正面涂覆光刻胶，在该光刻胶上喷涂第一粘附剂；在蓝宝石载物片表面喷涂第二粘附剂，将该蓝宝石载物片表面与该GaAs晶片正面黏合；将黏合有GaAs晶片的该蓝宝石载物片安装在减薄夹具上；对该GaAs晶片背面进行初步减薄抛光；测量减薄后该GaAs晶片的厚度，当厚度小于100μm时停止减薄抛光；将该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片再次装入夹具进行精密抛光；监控减薄后该GaAs晶片的厚度，当该GaAs晶片的厚度≤30μm，停止抛光，并对该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片进行清洗。本发明提供的对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法，避免了引入大尺寸的划伤，降低了GaAs表面损伤，粗糙度Ra达到很好的程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 厚度 gaas 晶片 进行 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法，包括：在GaAs晶片正面涂覆光刻胶，在该光刻胶上喷涂第一粘附剂；在蓝宝石载物片表面喷涂第二粘附剂，使用该第二粘附剂与该第一粘附剂将该蓝宝石载物片表面与该GaAs晶片正面黏合；将黏合有GaAs晶片的该蓝宝石载物片安装在减薄夹具上；采用贴覆单晶金刚石研磨布的不锈钢磨盘和研磨浆液对该GaAs晶片背面进行初步减薄抛光；从减薄夹具上取下该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片，测量减薄后该GaAs晶片的厚度，当厚度小于100μm时停止减薄抛光，并对该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片进行清洗；将该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片再次装入夹具进行精密抛光；监控减薄后该GaAs晶片的厚度，当该GaAs晶片的厚度≤30μm，停止抛光，并对该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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