[发明专利]一种微波水热法在ITO基板上制备硫化钴薄膜的方法

摘要

一种微波水热法在ITO基板上制备硫化钴薄膜的方法，将二水合草酸钴加入去离子水得溶液A；将硫脲加入溶液A中得溶液B；将H2O2加入溶液B中得前驱镀膜液C；将前驱镀膜液C倒入水热反应釜中，然后将ITO基板放置在反应釜浸于前驱镀膜液C中；密封水热反应釜，将其放入微波水热反应仪中进行微波水热反应；反应结束后自然冷却到室温，取出ITO基板，分别用蒸馏水和无水乙醇清洗，再干燥箱内干燥即在基板表面获得硫化钴薄膜。本发明制备的硫化钴薄膜结晶良好，膜较均匀，不易开裂；且制备工艺简单，操作方便，反应周期短，温度低，能耗小，制备成本较低。

主权项

一种微波水热法在ITO基板上制备硫化钴薄膜的方法，其特征在于：1)将清洗干净的ITO基板放入质量浓度为1％的十六烷基三甲基氯化铵的甲苯溶液中浸泡；2)取0.73g‑2.92g的分析纯二水合草酸钴(CoC2O4·2H2O)置于小烧杯中，向小烧杯中加入去离子水，搅拌，配置成100mL的红色透明溶液A；3)取0.38g‑1.52g的硫脲，将硫脲加入溶液A中，搅拌至溶解得溶液B；4)取1mL‑10mL质量浓度为30％的H2O2加入溶液B中，搅拌均匀，配置成前驱镀膜液C；5)将前驱镀膜液C倒入水热反应釜中，控制填充度为50‑80％；然后将步骤1)处理的ITO基板放置在反应釜浸于前驱镀膜液C中；密封水热反应釜，将其放入微波水热反应仪中；水热温度控制在160‑220℃，反应10min‑30min；6)反应结束后自然冷却到室温，取出ITO基板，分别用蒸馏水和无水乙醇清洗，再放入40℃的真空干燥箱内干燥即在基板表面获得硫化钴纳米薄膜。