[发明专利]提高NLDMOS击穿电压的方法有效
| 申请号： | 201110376868.8 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102412162A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 韩峰;董金珠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高NLDMOS击穿电压的方法，包括以下步骤：步骤一、制作深N阱DNW，在P型衬底P SUB上注入磷，然后再经过高温推进形成；步骤二、通过热生长形成场氧化层，制作P阱，注入杂质为硼，一次或多次注入；步骤三、制作PTOP，在阱注入完成之后及生长栅氧之前，通过注入形成，注入杂质为硼；步骤四、制作多晶硅栅极及多晶硅场板：在栅极氧化层生长完成后，淀积一层多晶硅，然后通过刻蚀定义出多晶硅栅极及场板的位置；步骤五、制作源漏，在多晶硅栅极形成之后，利用多晶硅栅和场氧化层作为硬质掩模，在器件区注入磷或者砷，单次或多次注入；注入硼形成P阱引出所需的P+，单次或多次注入。本发明可减小器件最薄弱的位置的碰撞电离，从而增加了器件的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 nldmos 击穿 电压 方法 | ||
【主权项】：
一种提高NLDMOS击穿电压的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、制作深N阱DNW，在P型衬底P SUB上注入磷，然后再经过高温推进形成；步骤二、通过热生长形成场氧化层，制作P阱，注入杂质为硼，一次或多次注入；步骤三、制作PTOP，在阱注入完成之后及生长栅氧之前，通过注入形成，注入杂质为硼；步骤四、制作多晶硅栅极及多晶硅场板：在栅极氧化层生长完成后，淀积一层多晶硅，然后通过刻蚀定义出多晶硅栅极及场板的位置；步骤五、制作源漏，在多晶硅栅极形成之后，利用多晶硅栅和场氧化层作为硬质掩模，在器件区注入磷或者砷，单次或多次注入；注入硼形成P阱引出所需的P+，单次或多次注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
