[发明专利]闪存存储器的位线控制电路无效
| 申请号： | 201110376872.4 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103137204A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 金建明;姚翔 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种闪存存储器的位线控制电路；包括：相邻两个存储单元A和B；存储单元A和B的位线分别为BL1和BL2；存储单元A和B共有的源极信号线SL；存储单元A和B共有的SONOS线和字线分别为WLS和WL；位线写控制电路D，晶体管M10和晶体管M11控制BL1；晶体管M12和晶体管M13控制BL2；字线译码及驱动电路C；在VNEG进入M11及M13之前加入一个N型晶体管M14，晶体管M14的漏极、栅极、源极和衬底分别接VNEG_C、VNEG_HALF、VNEG和VNEG；VENG_C接至M11和M13的漏极；由VNEG_HALF的电位决定VNEG是否进入位线。本发明的选择管处于开启状态时，位线信号从编程电压断开，当选择管关闭时，位线信号才正确连接至编程电压，从而改善电荷泵启动过程中位线间漏电流的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 存储器 控制电路 | ||
【主权项】：
一种闪存存储器的位线控制电路；包括：相邻两个存储单元A和B；存储单元A和B的位线分别为BL1和BL2；存储单元A和B共有的源极信号线SL；存储单元A和B共有的SONOS线和字线分别为WLS和WL；位线写控制电路D，晶体管M10和晶体管M11控制BL1；晶体管M12和晶体管M13控制BL2；字线译码及驱动电路C；其特征在于，在晶体管M11及晶体管M13之前加入一个N型晶体管M14，晶体管M14的漏极、栅极、源极分别接负位线控制晶体管的域值电压VNEG_C、负高压信号VNEG_HALF、负高压信号VNEG，其衬底接负高压信号VNEG；位线控制晶体管的域值电压VENG_C接至晶体管M11和晶体管M13的漏极；由负高压信号VNEG_HALF的电位决定负高压信号VNEG是否进入位线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110376872.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
