[发明专利]相变材料的制备方法无效
| 申请号： | 201110376922.9 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102386327A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;夏梦姣;饶峰;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变材料的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成非晶Si-SbxTe1-x材料层，其中0.1≤x≤0.9；在所述Si-SbxTe1-x复合材料的结晶温度之上，对所述Si-SbxTe1-x执行第一次退火工艺，使得其中的非晶Si和SbxTe1-x晶体形成分相；将退火后分相的非晶Si与SbxTe1-x的复合材料置于氢气氛中执行第二次退火工艺，使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料；对所述微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料执行加热退火脱氢工艺。相较于现有技术，本发明制备的是微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，微晶态的Si晶粒尺寸在3纳米至20纳米左右，缺陷比非晶态Si少，能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种相变材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成非晶Si‑SbxTe1‑x材料层，其中0.1≤x≤0.9；在所述非晶Si‑SbxTe1‑x复合材料的结晶温度之上，对所述Si‑SbxTe1‑x层执行第一次退火工艺，使得其中的非晶Si和SbxTe1‑x晶体形成分相；将退火后分相的非晶Si与SbxTe1‑x晶体的复合材料置于氢气氛中执行第二次退火工艺，使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si‑SbxTe1‑x复合相变材料；对所述微晶Si‑SbxTe1‑x复合相变材料执行加热退火脱氢工艺。
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