[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110376996.2 申请日: 2011-11-24
公开(公告)号: CN103137685A 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 三重野文健 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件包括:在衬底上形成的一个或更多个鳍片,所述鳍片具有由半导体材料形成的第一半导体层,并且所述第一半导体层具有:源区和漏区;在源区和漏区之间的沟道区,所述沟道区具有第一导电类型;以及沟道控制区,其与沟道区邻接以用于控制沟道区,所述沟道控制区至少形成在所述第一半导体层的沿着所述沟道区的沟道方向的两个侧面的部分表面中,并且与所述沟道区的沿着所述沟道方向的两个侧面的至少部分表面邻接,所述沟道控制区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型;以及栅极,其从所述沟道控制区的外侧与所述沟道控制区邻接。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件,包括:在衬底上形成的鳍片,所述鳍片具有由半导体材料形成的第一半导体层,并且所述第一半导体层具有:源区部分和漏区部分;在源区部分和漏区部分之间的沟道区,所述沟道区具有第一导电类型;以及沟道控制区,其与沟道区邻接以用于控制沟道区,所述沟道控制区至少形成在所述第一半导体层的沿着所述沟道区的沟道方向的两个侧面的部分表面中,并且与所述沟道区的沿着所述沟道方向的两个侧面的至少部分表面邻接,所述沟道控制区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型;以及栅极,其从所述沟道控制区的外侧与所述沟道控制区邻接。
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