[发明专利]深沟槽器件制造过程中氮化硅的去除方法

摘要

本发明公开了一种深沟槽器件制造过程中氮化硅的去除方法，包括步骤：采用OF方式，用去离子水对硅片进行预处理；将硅片浸入到磷酸槽中进行刻蚀处理将氮化硅完全去除。本发明方法通过在将硅片浸入到磷酸槽中之前，增加一个预处理的步骤，预处理步骤中的去离子水能够将形成于深沟槽底部的气泡全部排除，从而在后续的刻蚀处理中能够避免气泡干扰氮化硅和水的反应，最后能完全去除硅片表面的氮化硅、解决氮化硅残留问题，从而能提高产品良率。

主权项

一种深沟槽器件制造过程中氮化硅的去除方法，在硅片上形成有深沟槽器件的深沟槽，氮化硅形成于所述深沟槽区域外的所述硅片表面，或者所述氮化硅形成于所述深沟槽区域外的所述硅片表面和所述深沟槽的表面上；其特征在于，采用如下步骤去除所述氮化硅：步骤一、采用溢流清洗方式，用去离子水对形成有所述氮化硅的所述硅片进行预处理，所述去离子水将所述深沟槽中的气泡完全排除；步骤二、预处理之后，将所述硅片浸入到磷酸槽中进行刻蚀处理，在磷酸的催化作用下，所述磷酸槽中的水和所述氮化硅反应并将所述氮化硅完全去除。