[发明专利]具有抬升硅化物源漏接触的MOSFET及其制造方法无效
| 申请号： | 201110377995.X | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103137668A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底中的源漏区、衬底上的栅极堆叠结构和栅极侧墙、源漏区中的第一金属硅化物、分别位于源漏区以及栅极堆叠结构上方的接触栓塞、以及层间介质层，其特征在于：第一金属硅化物以及栅极堆叠结构上具有第二金属硅化物，接触栓塞与第二金属硅化物接触。依照本发明的半导体器件，通过抬升第一金属硅化物使其高于源漏区表面，从而减少接触孔中W的用量，不仅可以大大降低互连电阻而且还能有效阻挡Cu扩散，从而整体上有效地提高了器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 抬升 硅化物源 漏接 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括衬底、衬底中的源漏区、衬底上的栅极堆叠结构和栅极侧墙、源漏区中的第一金属硅化物、分别位于源漏区以及栅极堆叠结构上方的接触栓塞、以及层间介质层，其特征在于：第一金属硅化物以及栅极堆叠结构上具有第二金属硅化物，接触栓塞与第二金属硅化物接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110377995.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种幼儿DIY可塑性挂钩饰品
- 下一篇：能上下滑动的幼儿DIY 玩具
- 同类专利
- 专利分类
