[发明专利]数据读取装置、非易失性存储器装置及其读取方法有效

专利信息
申请号: 201110378643.6 申请日: 2011-11-24
公开(公告)号: CN102568554A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 王立中;黄士才 申请(专利权)人: 闪晶半导体股份有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C16/06
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李鹤松
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种数据读取装置、非易失性存储器装置及其读取方法。该数据读取装置包括:一感测放大器,用于感测感测放大器的一第一输入端及一第二输入端之间的电压差;一第一电容器及一第二电容器,分别连接至第一输入端及第二输入端,用于分别将第一输入端及第二输入端充电至一预设电压;以及一读取非易失性存储器单元及一参考NVM单元,分别连接至第一输入端及第二输入端;当同时施加一栅极偏压至读取NVM单元的控制栅极及参考NVM单元的控制栅极时,第一电容器及第二电容器通过读取NVM单元及参考NVM单元进行放电;以及,第一电容器及第二电容器的电容值实质上相同。本发明可以减少现有技术中因直流电流偏压而导致的大电流消耗。
搜索关键词: 数据 读取 装置 非易失性存储器 及其 方法
【主权项】:
一种数据读取装置,其特征在于,所述数据读取装置包括:一感测放大器,用于感测所述感测放大器的一第一输入端及一第二输入端之间的电压差;一第一电容器及一第二电容器,分别连接至所述第一输入端及所述第二输入端,用于分别将所述第一输入端及所述第二输入端充电至一预设电压;以及一读取非易失性存储器单元及一参考NVM单元,分别连接至所述第一输入端及所述第二输入端;其中,当同时施加一栅极偏压至所述读取NVM单元的控制栅极及所述参考NVM单元的控制栅极时,所述第一电容器及所述第二电容器通过所述读取NVM单元及所述参考NVM单元进行放电;以及其中,所述第一电容器及所述第二电容器的电容值实质上相同。
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