[发明专利]一种双面对称弹性梁结构电容式微加速度传感器及方法有效
| 申请号： | 201110379369.4 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102495234A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 车录锋;周晓峰;熊斌;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01P15/125 | 分类号： | G01P15/125;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及双面对称弹性梁结构电容式微加速度传感器及制作方法，其特征在于(1)双器件层SOI硅片为弹性梁-质量块结构的基片；(2)固定上电极、固定下电极分别位于质量块的上下两边；(3)弹性梁为直梁，其一端与质量块相连，另一端与支撑框架相连；(4)过载保护凸点制作在质量块的上下两面；(5)阻尼调节槽制作在质量块的上下两面；(6)质量块电极引出通孔的位置在支撑框架之上。利用湿法腐蚀自停止技术，在湿法腐蚀中一次加工形成加速度传感器中最为重要的弹性梁-质量块结构；利用硅硅直接键合方法实现了三层硅片的键合，质量块电极引出通孔通过红外对准光刻在固定上电极制作。在提高器件灵敏度的同时也降低了交叉轴灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 对称 弹性 结构 电容 式微 加速度 传感器 方法 | ||
【主权项】：
一种具有双面对称弹性梁结构的电容式微加速度传感器，其特征在于所述的电容式微加速度传感器基于双器件层SOI硅片包括质量块、电容间隙、阻尼调节槽、过载保护凸点、弹性梁、固定上电极、固定下电极和质量块电极引出通孔；其中，(1)双器件层SOI(100)单晶硅片为弹性梁‑质量块结构的基片；(2)固定上电极、固定下电极分别位于质量块的上下两边；(3)弹性梁为直梁，其一端与质量块相连，另一端与支撑框架相连；(4)过载保护凸点制作在质量块的上下两面；(5)阻尼调节槽制作在质量块的上下两面；(6)质量块电极引出通孔的位置在支撑框架之上。
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