[发明专利]硅化物阻止层刻蚀方法、通孔刻蚀停止层形成方法无效
| 申请号： | 201110379533.1 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102437051A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 俞柳江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种硅化物阻止层刻蚀方法以及通孔刻蚀停止层形成方法。根据本发明的硅化物阻止层刻蚀方法包括：硅化物阻止层生长步骤，用于在半导体器件表面生长硅化物阻止层；光刻胶涂覆步骤，用于在PMOS半导体器件上的硅化物阻止层上涂覆光刻胶，其中在NMOS半导体器件上的硅化物阻止层上没有涂覆光刻胶；离子注入步骤，在涂覆所述光刻胶之后进行中性元素注入；光刻胶去除步骤，去除光刻胶；以及刻蚀步骤，在去除光刻胶之后对硅化物阻止层执行刻蚀。本发明对不同导电类型的MOS管形成不同的侧墙形貌，通孔刻蚀停止层与不同导电类型的MOS晶体管的沟道之间的距离得以调整，在改善一种器件的性能的同时，降低通孔刻蚀停止层应力对另一种器件的负面影响。 | ||
| 搜索关键词： | 硅化物 阻止 刻蚀 方法 停止 形成 | ||
【主权项】：
一种硅化物阻止层刻蚀方法，其特征在于包括：硅化物阻止层生长步骤，用于在半导体器件表面生长硅化物阻止层；光刻胶涂覆步骤，用于在PMOS半导体器件上的硅化物阻止层上涂覆光刻胶，其中在NMOS半导体器件上的硅化物阻止层上没有涂覆光刻胶；离子注入步骤，在涂覆所述光刻胶之后进行中性元素注入；光刻胶去除步骤，去除所述光刻胶；以及刻蚀步骤，在去除所述光刻胶之后对硅化物阻止层执行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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