[发明专利]半导体存储器件和半导体存储器件的驱动方法

摘要

提供其功耗低的一种新颖半导体存储器件。写晶体管WTr_n_m的源极、读晶体管RTr_n_m的栅极和电容器CS_n_m的一个电极彼此连接。写晶体管WTr_n_m的栅极和漏极分别连接至写字线WWL_n和写位线WBL_m。电容器CS_n_m的另一电极连接至读字线RWL_n。读晶体管RTr_n_m的漏极连接至读位线RBL_m。在此，读位线RBL_m的电位被输入至诸如触发器电路FF_m的反相放大器电路以通过该反相放大器电路反相。该经反相的电位被输出至写位线WBL_m。

主权项

一种半导体存储器件，包括：写位线；写字线；读位线；读字线；存储单元；以及反相放大器电路，配置成向所述写位线提供所述读位线的经反相和放大的电位，其中所述存储单元包括写晶体管、读晶体管、以及包括第一电极和第二电极的电容器，其中所述写晶体管的源极、所述读晶体管的栅极和所述电容器的第一电极彼此连接，其中所述写晶体管的漏极连接至所述写位线，其中所述写晶体管的栅极连接至所述写字线，其中所述读晶体管的漏极连接至所述读位线，以及其中所述电容器的第二电极连接至所述读字线。