[发明专利]一种三层复合离子注入阻挡层及其制备、去除方法无效
| 申请号： | 201110379705.5 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102496559A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李博;申华军;白云;汤益丹;刘焕明;周静涛;杨成樾;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种三层复合离子注入阻挡层，包括：三层复合结构SiO2/Ti/Ni；所述三层复合结构的最上层为Ni金属层，所述Ni金属层为离子注入阻挡层；所述三层复合结构中层为Ti金属层，用于增加Ni金属层与下层SiO2的黏附性；所述三层复合结构下层为SiO2牺牲层，置于底层衬底之上，用于将Ti/Ni金属层与衬底分隔开。本发明还公开了一种制备、去除上述三层复合离子注入阻挡层的方法。通过本发明提供的制备方法制备的三层复合离子注入阻挡层不仅能够实现对半导体材料高温注入Al工艺的阻挡要求，同时，SiO2牺牲层还能够有效减少注入半导体表面的损伤。去除上述三层复合离子注入阻挡层的方法简单有效，解决了半导体衬底上Ti/Ni金属去除中的金属残留问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三层 复合 离子 注入 阻挡 及其 制备 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种三层复合离子注入阻挡层，其特征在于，包括：三层复合结构SiO2/Ti/Ni；所述三层复合结构的最上层为Ni金属层，所述Ni金属层为离子注入阻挡层；所述三层复合结构中层为Ti金属层，用于增加Ni金属层与下层的黏附性；所述三层复合结构下层为SiO2牺牲层，置于底层衬底之上，用于将Ti/Ni金属层与衬底分隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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