[发明专利]铜填充硅通孔的制作方法有效
| 申请号： | 201110379852.2 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376641A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铜填充硅通孔的制作方法，包括以下步骤：在硅晶片表面形成硅通孔；在上述结构表面沉积绝缘层；接着在上述结构表面沉积一层或多层阻挡层，同时采用穿通刻蚀工艺，去除硅通孔底部的阻挡层和绝缘层；将硅晶片浸入含铜离子的稀释氢氟酸溶液中5-600秒，在硅通孔的底部形成铜种子层；采用化学镀铜工艺，在铜种子层上填充铜；去除晶片上表面的铜、阻挡层和绝缘层；研磨晶片的下表面减薄至硅通孔的底部并去除铜的种子层。本发明采用硅通孔底部的种子层，通过化学镀铜完成铜的填充，消除了硅通孔中的孔隙，提高可靠性，同时节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 硅通孔 制作方法 | ||
【主权项】：
一种铜填充硅通孔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅晶片表面形成硅通孔；在上述结构表面沉积一层绝缘层；接着在上述结构表面沉积一层或多层阻挡层，同时采用穿通刻蚀工艺，去除硅通孔底部的阻挡层和绝缘层；将硅晶片浸入含铜离子的稀释氢氟酸溶液中5‑600秒，在硅通孔的底部形成铜种子层；采用化学镀铜工艺，在铜种子层上填充铜；去除晶片上表面的铜、阻挡层和绝缘层；研磨晶片的下表面减薄至硅通孔的底部并去除铜种子层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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