[发明专利]钨生长控制设备及方法有效
| 申请号： | 201110379861.1 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102394211A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 韩晓刚;陈建维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钨生长控制设备及方法。根据本发明的钨生长控制设备包括：WF6的气体流量控制器、SiH4的气体流量控制器以及检测控制仪器；其中WF6的气体流量控制器控制WF6气体的流量，SiH4的气体流量控制器控制SiH4气体的流量；检测控制仪器检测WF6的气体流量控制器的反应时间以及SiH4的气体流量控制器的反应时间，并且根据检测结果控制气体进入腔室时间。根据本发明的钨生长控制设备在确保产品无侵蚀和颗粒问题产生的同时不会造成气体浪费及切换阀容易堵塞不工作等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 控制 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种钨生长控制设备，其特征在于包括：WF6的气体流量控制器、SiH4的气体流量控制器以及检测控制仪器；其中WF6的气体流量控制器控制WF6气体的流量，SiH4的气体流量控制器控制SiH4气体的流量；检测控制仪器检测WF6的气体流量控制器的反应时间以及SiH4的气体流量控制器的反应时间，并且根据检测结果控制气体进入腔室时间。
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