[发明专利]制备X射线衍射光学元件的方法无效
申请号: | 201110379973.7 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN102402118A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 谢常青;方磊;朱效立;李冬梅;刘明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G03F1/22 | 分类号: | G03F1/22;G03F7/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种制备X射线衍射光学元件的方法。该方法包括:制备掩模基片A,掩模基片A上具有对应待制备X射线衍射光学元件形状的分离的多个条纹状凸起;在纳米压印基底B上旋涂感光光刻胶;以掩膜基片A为掩膜,在感光光刻胶中压印形成与多个条纹状凸起互补的条纹状凹槽;在纳米压印基底B上衍射光学元件形状的条纹状凹槽内沉积第二金属材料;去除纳米压印基底B上残余的感光光刻胶,从而在纳米压印基底B上形成由第二金属材料构成的衍射光学元件。本发明降低了制备X射线衍射光学元件的成本,缩短了其制备周期。 | ||
搜索关键词: | 制备 射线 衍射 光学 元件 方法 | ||
【主权项】:
一种制备X射线衍射光学元件的方法,其特征在于,包括:制备掩模基片A,所述掩模基片A上具有对应待制备X射线衍射光学元件形状的分离的多个条纹状凸起;在纳米压印基底B上旋涂感光光刻胶;以所述掩膜基片A为掩膜,在所述感光光刻胶中压印形成与所述多个条纹状凸起互补的条纹状凹槽;在纳米压印基底B上所述衍射光学元件形状的条纹状凹槽内沉积第二金属材料;去除所述纳米压印基底B上残余的感光光刻胶,从而在所述纳米压印基底B上形成由第二金属材料构成的衍射光学元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110379973.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型硬密封球阀
- 下一篇:一种钢筋调直切断机专用变速箱
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备