[发明专利]SiC肖特基二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110380007.7 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102376779A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 白云;申华军;汤益丹;李博;周静涛;杨成樾;刘焕明;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种SiC肖特基二极管，包括N+-SiC衬底和N--SiC外延层，所述N+-SiC衬底背面设有N型欧姆接触，所述N--SiC外延层有肖特基接触；所述肖特基接触的边缘处设有一个P--SiC区域环，作为该二极管器件的结终端延伸结构；在所述P--SiC的JTE区域环上设有n个肖特基金属环，n≥2；各肖特基金属环间设有SiO2钝化层。还公开一种SiC肖特基二极管的制作方法。本发明在使单区JTE的有效浓度低于优值浓度时，降低器件的击穿电压对JTE浓度的敏感程度。 | ||
| 搜索关键词： | sic 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种SiC肖特基二极管，包括N+‑SiC衬底和N‑‑SiC外延层，所述N+‑SiC衬底背面设有N型欧姆接触，其特征在于：所述N‑‑SiC外延层有肖特基接触；所述肖特基接触的边缘处设有一个P‑‑SiC区域环，作为该二极管器件的结终端延伸结构；在所述P‑‑SiC的JTE区域环上设有n个肖特基金属环，n≥2；各肖特基金属环间设有SiO2钝化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110380007.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
