[发明专利]SiC肖特基二极管及其制作方法有效
申请号: | 201110380007.7 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN102376779A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 白云;申华军;汤益丹;李博;周静涛;杨成樾;刘焕明;刘新宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L29/872 | 分类号: | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/04 |
代理公司: | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘丽君 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种SiC肖特基二极管,包括N+-SiC衬底和N--SiC外延层,所述N+-SiC衬底背面设有N型欧姆接触,所述N--SiC外延层有肖特基接触;所述肖特基接触的边缘处设有一个P--SiC区域环,作为该二极管器件的结终端延伸结构;在所述P--SiC的JTE区域环上设有n个肖特基金属环,n≥2;各肖特基金属环间设有SiO2钝化层。还公开一种SiC肖特基二极管的制作方法。本发明在使单区JTE的有效浓度低于优值浓度时,降低器件的击穿电压对JTE浓度的敏感程度。 | ||
搜索关键词: | sic 肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种SiC肖特基二极管,包括N+‑SiC衬底和N‑‑SiC外延层,所述N+‑SiC衬底背面设有N型欧姆接触,其特征在于:所述N‑‑SiC外延层有肖特基接触;所述肖特基接触的边缘处设有一个P‑‑SiC区域环,作为该二极管器件的结终端延伸结构;在所述P‑‑SiC的JTE区域环上设有n个肖特基金属环,n≥2;各肖特基金属环间设有SiO2钝化层。
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