[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201110380426.0 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102479807A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 樽井阳一郎;鹿口直斗;中村卓誉 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/36;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅半导体装置及其制造方法。在具有作为JTE区域或者FLR的终端区域的碳化硅半导体装置的制造中，增大将在终端区域表面产生的损伤层除去的刻蚀量的容限。碳化硅半导体装置在半导体元件的终端部具有作为JTE（JunctionTerminationExtension）区域或者FLR（FieldLimitingRing）的终端区域。终端区域利用将杂质的种类以及注入能量固定的一个阶段的离子注入形成。在终端区域的深度方向的杂质浓度分布中，最浅的位置的浓度峰值位于比表面深0.35μm的位置，并且，表面部的浓度为最浅的浓度峰值的十分之一以下。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具有：半导体元件，形成在碳化硅半导体层上；以及作为杂质注入区域的终端区域，形成在所述半导体元件的终端部并且包括JTE区域以及FLR的至少一方，在所述终端区域的深度方向的杂质浓度分布中，最浅的位置的浓度峰值位于比表面深0.35μm的位置。
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