[发明专利]一种底部耦合光栅量子阱红外焦平面光敏元芯片及其制备方法

摘要

本发明涉及底部耦合光栅量子阱红外焦平面光敏元芯片及其制备方法，可有效解决简化焦平面光敏元芯片制作工艺，提高光栅耦合效率的问题，方法是，在砷化镓衬底上面有由n型砷化镓和金交替周期性排列构成的透射光栅，透射光栅上面有下接触层，下接触层上有多量子阱层，多量子阱层上有上接触层，上接触层上有金反射层，金反射层上面有合金上电极，下接触层的一端上有合金公共下电极，下接触层、多量子阱层、上接触层、金反射层、合金上电极和合金公共下电极的两侧有二氧化硅钝化层；其制备方法是，采用晶片键合工艺和常规半导体工艺将透射光栅置于多量子阱层的底部，形成一体结构，本发明结构新颖独特，提高光耦合效率，制作工艺、方法简单。

主权项

一种底部耦合光栅量子阱红外焦平面光敏元芯片，其特征在于，在砷化镓衬底上面有由n型砷化镓和金交替周期性排列构成的透射光栅，透射光栅上面有n型砷化镓下接触层，n型砷化镓下接触层上有GaAs/AlGaAs多量子阱层，GaAs/AlGaAs多量子阱层上有n型砷化镓上接触层，n型砷化镓上接触层上有金反射层，金反射层上面有金/锗/镍合金上电极， n型砷化镓下接触层的一端上有金/锗/镍合金公共下电极，n型砷化镓下接触层、GaAs/AlGaAs多量子阱层、n型砷化镓上接触层、金反射层、金/锗/镍合金上电极和金/锗/镍合金公共下电极的两侧有二氧化硅钝化层。