[发明专利]一种制备纳米SiC增强MoSi2复合材料的方法有效

专利信息
申请号: 201110380699.5 申请日: 2011-11-25
公开(公告)号: CN102515770A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 张小立 申请(专利权)人: 中原工学院
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58;C04B35/622
代理公司: 郑州中原专利事务所有限公司 41109 代理人: 张绍琳;孙诗雨
地址: 451191 河南省*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 一种制备纳米SiC增强MoSi2复合材料的方法,该方法使用SiC粉和酚醛树脂高能研磨混合均匀后加入到Mo+C粉中,并进一步混合均匀。然后模压成型后,再进行反应熔渗法烧结,制备得到纳米SiC颗粒增强MoSi2基复合材料。在该方法中由于添加的辅助增强相SiC大大降低了Si+C→SiC,和Mo+Si→MoSi2反应的剧烈程度,从而减小了现有反应熔渗法试验中出现的样品开裂、变形、重复性差等现象,是一种可供工业化规模制备MoSi2基复合材料的方法。
搜索关键词: 一种 制备 纳米 sic 增强 mosi sub 复合材料 方法
【主权项】:
一种制备纳米SiC增强MoSi2复合材料的方法,其特征在于具体步骤如下:(1)将8‑12重量份的、粒度为400目的C粉和75‑85重量份的、粒度为400目的Mo粉在滚筒式混料机里进行混合得主体粉,混料时间为2‑4小时;(2)将8‑15重量份的SiC和0.5‑2重量份的酚醛树脂混合均匀并机械合金化得辅助增强相; (3)将步骤(2)得到的辅助增强相和步骤(1)主体粉混合均匀,并压制成坯料;(4)将该坯料放入真空烧结炉中,反应熔渗硅,从而形成SiC增强MoSi2基复合材料。
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