[发明专利]ITO的布线结构无效

专利信息
申请号: 201110380887.8 申请日: 2011-11-25
公开(公告)号: CN102541378A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 张开立;雷奥纳﹒波特曼;卓龙材 申请(专利权)人: 苏州瀚瑞微电子有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215163 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种ITO的布线结构,涉及两层ITO,且两层ITO之间是绝缘层,均布设在基底上,所述基底上设置桥接点,若在一个方向上所述电极块相互连接,那么在另一个方向上所述电极块就通过桥接的方式相互连接,所述电极块的内部被挖空形成空隙。本发明所述的ITO布线结构,不但简单,而且将传统电极块的内部挖空了一部分,所以增强了电容耦合,若在挖空的内部塞有填充物也一样可以增加电容耦合,增强所述整个ITO层的抗干扰能力。
搜索关键词: ito 布线 结构
【主权项】:
一种ITO的布线结构,涉及两层ITO,且两层ITO之间是绝缘层,均布设在基底上,所述基底上设置桥接点,若在一个方向上所述电极块相互连接,那么在另一个方向上所述电极块就通过桥接的方式相互连接,其特征在于:所述电极块的内部被挖空形成空隙。
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