[发明专利]ITO的布线结构无效
申请号: | 201110380887.8 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN102541378A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 张开立;雷奥纳﹒波特曼;卓龙材 | 申请(专利权)人: | 苏州瀚瑞微电子有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215163 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种ITO的布线结构,涉及两层ITO,且两层ITO之间是绝缘层,均布设在基底上,所述基底上设置桥接点,若在一个方向上所述电极块相互连接,那么在另一个方向上所述电极块就通过桥接的方式相互连接,所述电极块的内部被挖空形成空隙。本发明所述的ITO布线结构,不但简单,而且将传统电极块的内部挖空了一部分,所以增强了电容耦合,若在挖空的内部塞有填充物也一样可以增加电容耦合,增强所述整个ITO层的抗干扰能力。 | ||
搜索关键词: | ito 布线 结构 | ||
【主权项】:
一种ITO的布线结构,涉及两层ITO,且两层ITO之间是绝缘层,均布设在基底上,所述基底上设置桥接点,若在一个方向上所述电极块相互连接,那么在另一个方向上所述电极块就通过桥接的方式相互连接,其特征在于:所述电极块的内部被挖空形成空隙。
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