[发明专利]用于为焊料凸块形成柱状晶粒结构的热梯度回流有效
| 申请号： | 201110381718.6 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102623361A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 张志鸿;郭彦良;董志航;蔡宗甫 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法，包括：将包含第一工件和第二工件的封装结构加热，以熔化第一工件和第二工件之间的多个焊料凸块；以及在加热步骤之后，将多个焊料凸块凝固；在凝固步骤期间，将封装结构的第一侧保持在第一温度，第一温度高于多个焊料凸块的熔化温度，其中，利用加热源实施保持步骤；在凝固步骤期间，利用冷却源将封装结构的第二侧保持在第二温度，第二温度低于熔化温度，其中，第二侧于第一侧相对。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 焊料 形成 柱状 晶粒 结构 梯度 回流 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：将包含第一工件和第二工件的封装结构加热，以熔化所述第一工件和所述第二工件之间的多个焊料凸块；以及在加热步骤之后，将所述多个焊料凸块凝固，其中，所述方法进一步包括：在凝固步骤期间，将所述封装结构的第一侧保持在第一温度，所述第一温度高于所述多个焊料凸块的熔化温度，其中，利用加热源实施保持步骤；以及在凝固步骤期间，利用冷却源将所述封装结构的第二侧保持在第二温度，所述第二温度低于所述熔化温度，其中，所述第二侧与所述第一侧相对。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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