[发明专利]应用于双边偏压非易失性存储器的方法与装置有效
| 申请号： | 201110382332.7 | 申请日： | 2007-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN102426857A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;H01L29/792;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及非易失性存储器技术领域，公开了一种用以操作非易失性存储器单元的方法，该非易失性存储器单元具有储存电荷的一电荷捕捉结构，以及包括一栅极区域、源极区域与漏极区域和一本体区域的多个电压终端，该方法包括：响应一指令以增加电子至该电荷捕捉结构，施加一偏压安排至该多个电压终端，使得该偏压安排包括相对于该本体区域而为正偏压的该源极区域与漏极区域，并且该偏压安排包括相对于该源极区域与漏极区域而为正偏压的该栅极区域。本发明同时公开了一种应用该非易失性存储器单元的集成电路。利用本发明，在无需采用如此强的电场与高电压的情况下，可以将电子自非易失性存储器单元的源极与漏极移动至电荷捕捉结构。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 双边 偏压 非易失性存储器 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用以操作非易失性存储器单元的方法，该非易失性存储器单元具有储存电荷的一电荷捕捉结构，以及包括一栅极区域、源极区域与漏极区域和一本体区域的多个电压终端，该本体区域具有与源极区域和漏极区域相反极性的单一极性区域，其特征在于，该方法包括：响应一指令以增加电子至该电荷捕捉结构，施加一第一固定偏压安排至该多个电压终端，使得该第一固定偏压安排包括相对于该本体区域而为正偏压的该源极区域与漏极区域，并且该第一固定偏压安排包括相对于该源极区域与漏极区域而为正偏压的该栅极区域；其中，相对于该本体区域而为正偏压的该源极区域与漏极区域，将使空穴自该源极区域与漏极区域流至该本体区域，相对于该源极区域与漏极区域而为正偏压的该栅极区域，将使电子自该本体区域流至该电荷捕捉结构。
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